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外延大队

芯片外延是指在半导体材料表面上制造一层或多层特定功能的半导体材料层的过程。这些材料层包括电路元件、绝缘层、导线等，它们共同构成了芯片的微观结构 。外延生长是制备高纯微电子复合材料的一种工艺过程，就是在单晶（或化合物）衬底材料上淀积一层薄的单晶（或化合物）层。新淀积的这层称为外延层 。

电镀大队

电镀是通过电化学反应在材料表面形成金属膜的过程。通过在材料表面施加一个电压，使金属阴极上的离子被还原成金属，从而在材料表面形成金属层。这种金属层可以改变材料的表面性质，如增强导电性、耐腐蚀性或美化表面外观。

光刻大队

光刻（photolithography）工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。

扩散大队

半导体扩散工艺是通过高温热处理将特定杂质元素按浓度梯度掺入半导体材料（如硅晶圆），从而精准调控其电学特性（如导电类型和载流子浓度）的核心制造技术‌。

薄膜大队

薄膜沉积（Thin Film Deposition）是在基材上沉积一层纳米级的薄膜，再配合蚀刻和抛光等工艺的反复进行，就做出了很多堆叠起来的导电或绝缘层，而且每一层都具有设计好的线路图案。这样半导体元件和线路就被集成为具有复杂结构的芯片了。

版主: 半导体小马

刻蚀大队

刻蚀技术（etching technique），是在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。

版主: 半导体小马

离子大队

离子注入（Ion Implantation），是一种精确地向半导体中引入杂质的方法。首先将所需的杂质电离，然后在电场中加速形成一个集中的离子束。这束离子随后打在硅片表面，这些高能粒子进入晶格并与一些硅原子碰撞而失去能量，最终在某个深度停止，使得离子穿透并嵌入到硅片中。

氧化大队

所有工艺最基础的阶段就是氧化工艺。氧化工艺就是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处理（800~1200℃），在硅片表面发生化学反应形成氧化膜(SiO2薄膜)的过程。
SiO2薄膜因为其具有硬度高，熔点高，化学稳定性好，绝缘性好，热膨胀系数小，以及工艺的可行性等特点，在半导体制造工艺中被广泛采用。

测试大队

半导体测试工艺是半导体制造中的关键环节，旨在确保芯片性能和可靠性，主要分为晶圆测试（中测）和封装后测试（终测）两个阶段‌。测试内容包括电性能参数（如电压、电流、电阻）的精准测量、功能验证以及高温、低温、湿度等环境下的可靠性评估‌。通过专业设备检测封装后的芯片外观缺陷，并筛选出不良品以优化工艺、降低成本，最终保证产品符合质量要求‌。

研磨大队

半导体研磨工艺是半导体制造中的关键环节，主要用于调整晶圆表面平整度、粗糙度及减薄厚度，以满足高精度封装和器件性能需求‌。该工艺通常分为粗磨、中磨和细磨三个阶段‌，通过机械研磨与化学腐蚀相结合的方式（如化学机械抛光CMP技术‌）去除表面损伤层，采用金刚石磨料等高硬度材料实现纳米级表面加工‌。研磨前需贴附保护膜固定晶粒‌，研磨后需配合划片工艺分离芯片，最终确保晶圆在切割、封装等后续流程中的结构完整性和电性稳定性‌。

分选大队

芯片分bin是指将一个芯片测试出来的数据按照一定规则分成若干个小组，每组代表一个“bin”，以便对芯片进行更精细的分析。在芯片制造和测试过程中，往往会出现一些不完美的情况，比如说某些芯片出现了一些小问题，但并不影响整个芯片的性能。如果这些芯片直接混在一起，就会增加测试和分析的难度，而分bin就是为了解决这个问题。分bin通常是根据芯片测试数据的一些特定参数来进行的，比如功耗、频率、温度等等。通过将测试数据按照这些参数进行分类，就可以得到若干个bin，每个bin代表一组具有相似属性的芯片。这样，就可以更加精细地对芯片进行分析和测试，以便找出其中的问题或者优化设计。芯片分bin是芯片制造和测试中的一个重要环节，它对于芯片的质量、性能和稳定性都有着重要的影响。因此，在芯片制造和测试过程中，分bin的工作必须得到足够的重视和认真对待。

切割大队

半导体切割划裂工艺是半导体封装前的重要步骤，通过机械或激光切割将晶圆分割成独立芯片单元。该工艺首先利用高精度刀片或激光束沿晶圆预设的切割道进行切割，确保芯片边缘完整且无裂纹损伤。对于超薄晶圆，常采用“划裂法”（如半切或全切方式），即先机械划片形成浅槽，再通过裂片机施加应力实现芯片分离。切割过程中需配合保护膜固定晶圆，并控制切割深度、速度及冷却条件，以避免热应力导致的微裂纹或崩边。最终通过清洗去除碎屑，确保芯片几何尺寸精度及表面洁净度，满足后续封装和焊接要求。

封装大队

半导体封装工艺是将切割后的晶圆芯片进行物理保护与电气连接的关键制程，主要包括贴片、键合、塑封等核心环节。首先将晶片贴装至基板（如引线框架或有机基材），通过金线键合或倒装焊技术实现芯片与基板的电气连接‌。随后采用环氧树脂或陶瓷材料进行塑封，形成具备机械防护和散热功能的外壳，同时通过硅通孔（TSV）等三维集成技术提升互连密度‌。封装过程中需结合清洗、切割及电镀等辅助工序，最终通过可靠性测试确保芯片在热应力、湿气等复杂环境下的稳定性‌。随着AI芯片发展，晶圆级封装（WLCSP）和CoWoS等先进技术进一步实现芯片尺寸微型化与异构集成能力‌。

质控大队

质量管理是半导体行业的核心竞争力随着半导体技术的不断发展,产品质量和稳定性成为企业竞争的关键因素,质量管理对于提升半导体企业竞争力具有重要意义。

管理大队

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