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所有工艺最基础的阶段就是氧化工艺。氧化工艺就是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处理（800~1200℃），在硅片表面发生化学反应形成氧化膜(SiO2薄膜)的过程。
SiO2薄膜因为其具有硬度高，熔点高，化学稳定性好，绝缘性好，热膨胀系数小，以及工艺的可行性等特点，在半导体制造工艺中被广泛采用。