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离子注入（Ion Implantation），是一种精确地向半导体中引入杂质的方法。首先将所需的杂质电离，然后在电场中加速形成一个集中的离子束。这束离子随后打在硅片表面，这些高能粒子进入晶格并与一些硅原子碰撞而失去能量，最终在某个深度停止，使得离子穿透并嵌入到硅片中。