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半导体研磨工艺是半导体制造中的关键环节，主要用于调整晶圆表面平整度、粗糙度及减薄厚度，以满足高精度封装和器件性能需求‌。该工艺通常分为粗磨、中磨和细磨三个阶段‌，通过机械研磨与化学腐蚀相结合的方式（如化学机械抛光CMP技术‌）去除表面损伤层，采用金刚石磨料等高硬度材料实现纳米级表面加工‌。研磨前需贴附保护膜固定晶粒‌，研磨后需配合划片工艺分离芯片，最终确保晶圆在切割、封装等后续流程中的结构完整性和电性稳定性‌。