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mesa台阶的制作过程包括黄光光刻、电感耦合等离子体(ICP)刻蚀和去除光刻胶等步骤。首先,通过黄光光刻将光刻胶覆盖在芯片表面,然后使用ICP刻蚀技术将光刻胶和芯片表面的材料一起刻蚀,形成mesa台阶。最后,去除光刻胶,mesa台阶就制作完成了。
mesa台阶的上方是p-GaN,下方是ll-GaN。它的主要作用是使ll-GaN露出,便于后续的电极沉积和芯片切割。同时,mesa台阶的制作过程中还会制作出切割道,便于后续的芯片切割劈裂作业。切割道的宽度通常在20~35um之间,具体宽度取决于切割机的精准度。
总之,mesa台阶是芯片加工过程中不可或缺的重要工艺步骤,它的制作过程和作用对芯片的性能和质量有着重要的影响。
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