mesa台阶：芯片加工中的重要工艺步骤
一、mesa台阶的制作过程mesa台阶的制作过程包括黄光光刻、电感耦合等离子体（ICP）刻蚀和去除光刻胶等步骤。首先，通过黄光光刻将光刻胶覆盖在芯片表面，然后使用ICP刻蚀技术将光刻胶和芯片表面的材料一起刻蚀，形成mesa台阶。最后，去除光刻胶，mesa台阶就制作完成了。二、mesa台阶的作用mesa台阶的上方是p-GaN，下方是ll-GaN。它的主要作用是使ll-GaN露出，便于后续的电极沉积和芯片切割。同时，mesa台阶的制作过程中还会制作出切割道，便于后续的芯片切割劈裂作业。切割道的宽度通常在20~35um之间，具体宽度取决于切割机的精准度。总之，mesa台阶是芯片加工过程中不可或缺的重要工艺步骤，它的制作过程和作用对芯片的性能和质量有着重要的影响。
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