半导体刻蚀工艺中常见英文术语的详解

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以下是半导体刻蚀工艺中常见英文术语的详解，按类别整理：

‌一、刻蚀方法‌

• Etching（刻蚀）‌
  通过化学或物理方法去除晶圆表面特定材料的过程，分为干法和湿法两种类型。

• Dry Etch（干法刻蚀）‌
  利用等离子体或反应性气体（如Cl₂、CF₄）进行刻蚀，适用于高精度图形化，例如反应离子刻蚀（RIE）。

• Wet Etch（湿法刻蚀）‌
  使用液体化学试剂（如氢氟酸HF或磷酸H₃PO₄）溶解材料，适用于各向同性刻蚀和大面积去除。

• Isotropic Etching（各向同性刻蚀）‌
  刻蚀速率在各个方向相同，导致横向和纵向同时去除材料，常见于湿法刻蚀。

• Anisotropic Etching（各向异性刻蚀）‌
  刻蚀方向具有高度选择性，通常通过干法刻蚀实现，能形成垂直侧壁结构。

  
  

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‌二、关键参数与指标‌

• Etch Rate（刻蚀速率）‌
  单位时间内材料被去除的厚度，通常以Å/min或nm/min为单位。

• Selectivity Ratio（选择比）‌
  刻蚀过程中目标材料与掩膜或下层材料的刻蚀速率之比，高选择比可减少掩膜损耗。

• Uniformity（均匀性）‌
  刻蚀过程在晶圆表面不同区域的速率一致性，通常要求控制在±5%以内。

  
  

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‌三、常见缺陷与问题‌

• Residue（残留）‌
  刻蚀后未被完全去除的材料碎片，可能由反应气体不充分或掩膜失效引起。

• Notching（鼠咬缺陷）‌
  图形边缘出现锯齿状或不规则缺口，常见于多晶硅刻蚀中的电荷积累问题。

• Undercut（底切）‌
  掩膜下方的材料被横向刻蚀，导致图形尺寸偏差，多发生于各向同性刻蚀。

• Micro-loading（微负载效应）‌
  密集图形区域与稀疏区域的刻蚀速率差异，导致深度不均匀。

  
  

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‌四、设备与材料相关‌

• Plasma（等离子体）‌
  干法刻蚀中的电离气体，用于激活反应性物质（如自由基、离子）。

• Chamber（反应腔室）‌
  进行干法刻蚀的密闭容器，需控制温度、压力和气体流量。

• Photoresist（光刻胶）‌
  作为掩膜材料，需具备高耐刻蚀性，常见类型包括正胶（如AZ系列）和负胶（如SU-8）。

  
  

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‌五、其他术语‌

• Endpoint Detection（终点检测）‌
  通过光学发射光谱（OES）或质谱技术实时监测刻蚀终点。

• Over-etch（过刻蚀）‌
  为确保材料完全去除而延长刻蚀时间，需控制避免损伤下层结构。

• Hard Mask（硬掩膜）‌
  使用SiO₂、SiN等无机材料作为掩膜，相比光刻胶具有更高选择比。

  
  

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以上术语覆盖刻蚀工艺的核心概念、技术参数及常见问题，适用于半导体制造中的光刻后图形转移及材料去除环节。