半导体镀膜工艺英文术语的详细解析

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以下是清理后的半导体镀膜常用英文术语汇总：

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一、核心镀膜工艺

• ‌Plated Film‌
  通过化学或电化学沉积形成的膜层，常用于金属层制备。
• ‌PVD (Physical Vapor Deposition)‌
  物理气相沉积，包括溅射（Sputtering）和蒸发（Evaporation）两种主要形式。
• ‌CVD (Chemical Vapor Deposition)‌
  化学气相沉积，通过气体化学反应在基片表面生成薄膜。
• ‌ALD (Atomic Layer Deposition)‌
  原子层沉积，实现原子级精度的薄膜控制。
• ‌Electroplating‌
  电镀技术，通过电解反应沉积金属层（如铜互连工艺）。
  

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二、关键技术与设备

• ‌Magnetron Sputtering‌
  磁控溅射技术，利用磁场提高溅射效率和膜层均匀性。
• ‌Cluster Tool‌
  集成多工艺模块的设备，可完成刻蚀、镀膜等连续步骤。
• ‌Anti-Reflective Coating (ARC)‌
  防反射涂层，用于光刻工艺中减少光反射。
• ‌PECVD (Plasma-Enhanced CVD)‌
  等离子体增强化学气相沉积，降低反应温度并提升薄膜质量。
  

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三、性能参数与检测

• ‌Film Thickness‌
  膜厚，直接影响器件的电学性能。
• ‌Uniformity‌
  膜层均匀性，衡量镀膜质量的核心指标。
• ‌Stress‌
  膜层内应力，过高会导致基片翘曲或膜层开裂。
• ‌Resistivity‌
  电阻率，导电膜层的关键电学参数。
  

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四、关联工艺

• ‌Intermetal Dielectric (IMD)‌
  金属间介电层，用于隔离不同金属层。
• ‌Planarization‌
  平坦化，通过化学机械研磨（CMP）实现表面平整。
• ‌Front-End Process‌
  前道工艺，包含镀膜、光刻、刻蚀等晶圆制造步骤。
• ‌Back-End Process‌
  后道工艺，涉及封装和测试。
  

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以上术语覆盖半导体镀膜全流程，适用于工艺开发、设备操作及质量检测等场景。