半导体制造常用单位换算汇总

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以下是半导体制造领域常用单位换算的汇总整理，涵盖长度、厚度、电学、压强等核心参数：

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一、长度与厚度单位

• 纳米（nm）与微米（μm）‌

  
  
  • 1 μm = 1000 nm
  • 1 Å（埃）= 0.1 nm = 10⁻¹⁰ m
  • 1 mm = 1000 μm = 1e6 nm
    

• mil（密耳）与毫米（mm）‌

  
  
  • 1 mil = 0.0254 mm = 25.4 μm
  • 1 mm ≈ 39.37 mil
    

• 英寸（inch）与其他单位‌

  
  
  • 1 inch = 25.4 mm = 1000 mil
  • 1 μm ≈ 39.37 μ〃（微英寸）
    

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二、电学参数单位

• 电容（F）‌

  
  
  • 1 F = 1e3 毫法（mF）= 1e6 微法（μF）= 1e12 皮法（pF）
  • 1 μF = 1e3 纳法（nF）= 1e6 皮法（pF）
    

• 电感（H）‌

  
  
  • 1 H = 1e3 毫亨（mH）= 1e6 微亨（μH）= 1e9 纳亨（nH） ‌
    

• 电阻（Ω）‌

  
  
  • 1 Ω = 1e3 毫欧（mΩ）= 1e6 微欧（μΩ）
  • 1 兆欧（MΩ）= 1e3 千欧（kΩ）= 1e6 Ω ‌
    

• 电流（A）‌

  
  
  • 1 A = 1e3 毫安（mA）= 1e6 微安（μA）= 1e9 纳安（nA）
    
  
  

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三、压强单位（用于真空工艺）

• 国际单位制‌

  
  
  • 1 帕（Pa）= 1 N/m²
  • 1 兆帕（MPa）= 1e6 Pa
  • 1 标准大气压（atm）= 101325 Pa
    

• 工程常用单位‌

  
  
  • 1 巴（Bar）= 1e5 Pa
  • 1 托（Torr）= 1/760 atm ≈ 133.322 Pa
  • 1 psi（磅力/平方英寸）= 6894.76 Pa
    

• 真空度划分‌

  
  
  • 粗真空：1e5 ~ 1e2 Pa（干燥、浸渍）
  • 高真空：1e-1 ~ 1e-6 Pa（物理气相沉积、刻蚀）
  • 超高真空：<1e-6 Pa（表面分析、MBE镀膜）
    

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四、材料与工艺相关单位

• 铜箔厚度（OZ）‌

  
  
  • 1 OZ（盎司）= 35 μm ≈ 28.35 克/平方英尺
  • 1 μm ≈ 0.03937 mil ‌58
    

• 掺杂与薄膜厚度‌

  
  
  • 晶圆薄膜厚度常用“埃（Å）”表示，1 Å = 0.1 nm（如氧化硅层）‌
  • 半导体纳米工艺中，晶体管尺寸以“nm”为单位（如3 nm工艺）‌
    

• 时间单位‌

  
  
  • 1 秒（s）= 1e6 微秒（μs）= 1e9 纳秒（ns）‌
    
  
  

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五、其他单位

• 频率‌

  
  
  • 1 MHz = 1e3 kHz = 1e6 Hz ‌
    

• 面积与体积‌

  
  
  • 1 平方英尺（ft²）= 0.0929 平方米（m²）
  • 1 加仑（美制）= 3.785 升 ‌