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半导体刻蚀工艺中常见英文术语的详解

以下是半导体刻蚀工艺中常见英文术语的详解,按类别整理:‌一、刻蚀方法‌
[*]Etching(刻蚀)‌
通过化学或物理方法去除晶圆表面特定材料的过程,分为干法和湿法两种类型。
[*]Dry Etch(干法刻蚀)‌
利用等离子体或反应性气体(如Cl₂、CF₄)进行刻蚀,适用于高精度图形化,例如反应离子刻蚀(RIE)。
[*]Wet Etch(湿法刻蚀)‌
使用液体化学试剂(如氢氟酸HF或磷酸H₃PO₄)溶解材料,适用于各向同性刻蚀和大面积去除。
[*]Isotropic Etching(各向同性刻蚀)‌
刻蚀速率在各个方向相同,导致横向和纵向同时去除材料,常见于湿法刻蚀。
[*]Anisotropic Etching(各向异性刻蚀)‌
刻蚀方向具有高度选择性,通常通过干法刻蚀实现,能形成垂直侧壁结构。
‌二、关键参数与指标‌
[*]Etch Rate(刻蚀速率)‌
单位时间内材料被去除的厚度,通常以Å/min或nm/min为单位。
[*]Selectivity Ratio(选择比)‌
刻蚀过程中目标材料与掩膜或下层材料的刻蚀速率之比,高选择比可减少掩膜损耗。
[*]Uniformity(均匀性)‌
刻蚀过程在晶圆表面不同区域的速率一致性,通常要求控制在±5%以内。
‌三、常见缺陷与问题‌
[*]Residue(残留)‌
刻蚀后未被完全去除的材料碎片,可能由反应气体不充分或掩膜失效引起。
[*]Notching(鼠咬缺陷)‌
图形边缘出现锯齿状或不规则缺口,常见于多晶硅刻蚀中的电荷积累问题。
[*]Undercut(底切)‌
掩膜下方的材料被横向刻蚀,导致图形尺寸偏差,多发生于各向同性刻蚀。
[*]Micro-loading(微负载效应)‌
密集图形区域与稀疏区域的刻蚀速率差异,导致深度不均匀。
‌四、设备与材料相关‌
[*]Plasma(等离子体)‌
干法刻蚀中的电离气体,用于激活反应性物质(如自由基、离子)。
[*]Chamber(反应腔室)‌
进行干法刻蚀的密闭容器,需控制温度、压力和气体流量。
[*]Photoresist(光刻胶)‌
作为掩膜材料,需具备高耐刻蚀性,常见类型包括正胶(如AZ系列)和负胶(如SU-8)。
‌五、其他术语‌
[*]Endpoint Detection(终点检测)‌
通过光学发射光谱(OES)或质谱技术实时监测刻蚀终点。
[*]Over-etch(过刻蚀)‌
为确保材料完全去除而延长刻蚀时间,需控制避免损伤下层结构。
[*]Hard Mask(硬掩膜)‌
使用SiO₂、SiN等无机材料作为掩膜,相比光刻胶具有更高选择比。
以上术语覆盖刻蚀工艺的核心概念、技术参数及常见问题,适用于半导体制造中的光刻后图形转移及材料去除环节。
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