半导体量检测的项目有哪些
半导体量检测项目可分为以下三大方向及具体分类：一、量测（Metrology）[*]膜厚测量（Thickness）
使用光学方法测量半透明薄膜或金属层厚度，可覆盖数百层薄膜结构。
[*]光学关键尺寸测量（OCD）
基于光学原理和3D建模算法，分析晶体管等微观结构的立体参数。
[*]套刻精度（Overlay）
监控芯片制造过程中不同层间的对准精度，保障工艺叠加匹配性。
[*]其他物理参数
包括晶圆弯曲度（Bow/Warp）、应力分布（1D/2D Stress）、电阻率（RS）及原子级台阶高度（AFM测量）等。
二、缺陷检测（Defect Inspection）
[*]无图形缺陷检测
识别晶圆表面未形成电路图案区域的颗粒污染或机械损伤。
[*]有图形缺陷检测
针对已形成电路结构的区域，检测短路、断路或图案畸变等缺陷。
[*]掩模版缺陷检测
检查光刻掩模版的完整性，避免模板缺陷转移到晶圆上。
三、复检（Review）
[*]高分辨率复检
采用电子显微镜或光学显微镜对量测和缺陷检测中发现的异常进行高精度复核，分析缺陷成因及影响。
扩展补充部分特殊场景下可能涉及材料特性检测，如湿电子化学品成分分析、光刻胶性能测试等，但这类检测通常属于材料质量控制范畴，与制造过程中的量检测存在区分。
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