半导体流片常用的量检测单位有哪些
一、前道量检测常用单位[*]气体/液体流量控制
[*]sccm（标准毫升每分钟）、slm（标准升每分钟）：用于薄膜沉积、刻蚀等工艺中气体流量的标准化控制，需根据温度、压力及气体种类进行换算。
[*]示例：硅烷通入流量常标注为300 sccm，氩气溅射镀膜流量可达25 slm。
[*]薄膜厚度（THK）
[*]纳米（nm）、埃（Å）：通过椭圆偏振仪或光谱反射率仪测量薄膜厚度，如氧化硅层厚度控制在10-100 nm范围。
[*]关键尺寸（CD）与套刻误差（OVL）
[*]纳米（nm）：CD-SEM或光学关键尺寸（OCD）技术测量线宽、间距等纳米级结构；套刻误差精度通常要求<3 nm。
[*]晶圆参数
[*]微米（μm）：用于晶圆厚度测量；
[*]毫米/微米（mm/μm）：描述晶圆翘曲（Bow/Warp）或应力分布。
二、后道测试常用单位
[*]电性参数测试
[*]伏特（V）、安培（A）、欧姆（Ω）：用于测试芯片的电压、电流、电阻等电学特性，如阈值电压、漏电流等。
[*]频率特性
[*]GHz/MHz：衡量芯片工作频率或信号传输速率，如处理器主频测试。
三、其他相关单位
[*]缺陷密度：通常以个/cm²统计晶圆表面颗粒或图形缺陷数量；
[*]工艺参数验证：如掺杂浓度采用原子/cm³、材料电阻率用Ω·cm表示。
以上单位贯穿半导体流片的全流程，从前道工艺的精密控制到后道芯片的功能验证，均需通过标准化单位实现工艺一致性及良率管理。
页:
[1]