光刻工艺流程简述
刻是半导体制造中的关键工艺，用于将电路图案转移到晶圆表面。其基本流程如下：[*]衬底准备
晶圆表面清洗并涂覆一层光刻胶（Photoresist），通常通过旋涂（Spin Coating）形成均匀薄膜。
[*]前烘（Soft Bake）
低温加热（90-120℃）去除光刻胶中的溶剂，增强粘附性。
[*]曝光（Exposure）
通过光刻机将掩模版（Mask）上的图案投影到光刻胶上。光源（如紫外光、极紫外光）使曝光区域的光刻胶发生光化学反应。
[*]显影（Development）
使用化学显影液溶解曝光区域（正性胶）或未曝光区域（负性胶），形成三维图案。
[*]后烘（Hard Bake）
高温固化显影后的光刻胶，提高耐刻蚀能力。
[*]刻蚀（Etching）
通过干法（等离子体）或湿法（化学溶液）刻蚀，将光刻胶图案转移到下层材料（如氧化硅、金属）。
[*]去胶（Stripping）
移除残留光刻胶，完成图形转移。
关键点：
[*]分辨率由光刻机波长（如DUV 193nm、EUV 13.5nm）决定。
[*]需严格环境控制（洁净室、温湿度）和套刻精度（Overlay）。
[*]先进工艺可能涉及多重曝光（Multi-Patterning）等技术。
光刻的精度直接影响芯片性能，是摩尔定律推进的核心技术之一。
页:
[1]