光刻胶正胶负胶的区别
光刻胶正胶和负胶的主要区别在于它们的化学成分、曝光后的反应以及应用场景。图片来源于网络
化学成分和曝光反应
正胶：主要由光敏剂、树脂和溶剂组成。曝光后，光敏剂在紫外光照射下发生化学反应，生成酸性基团，这些酸性基团与显影液中的微碱性成分反应，导致光刻胶被溶解去除。正胶的曝光区域在显影后被去除，形成与掩膜版相同的图形。
负胶：主要由聚合物单体、光敏剂和溶剂组成。曝光后，光敏剂产生自由基，引发单体聚合形成三维网状结构，使光刻胶硬化并变得不可溶解。未曝光的光刻胶在显影液中溶解，而曝光区域的光刻胶保持不变。
应用场景
正胶：适用于需要高分辨率和精密结构的器件制造，如集成电路、微处理器等。正胶的制程简单、成本较低，且可以提供良好的图案解析度，适合大规模生产。
负胶：适用于需要形成复杂三维结构的器件，如微流控芯片、微型管道等。负胶具有良好的耐化学性、热稳定性和抗刻蚀性，适用于制造一些微结构和复杂的三维形态。
优缺点
正胶：
优点：操作简单，适合实验室和研究环境；显影效果均匀，整个晶圆都被显影液均匀覆盖。
缺点：不适合大规模生产，需要大量显影液，且显影液可能被污染。
负胶：
优点：显影效果稳定，适合大规模生产；高效且节省显影液。
缺点：需要更复杂的设备和更精细的工艺参数控制，喷洒不均匀可能导致显影效果不一致。
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