光刻胶涂覆后多久能干
光刻胶涂覆后干燥的时间和温度主要取决于具体的工艺条件。干燥时间和温度
[*]软烘（前烘）：软烘是光刻胶涂覆后的一个重要步骤，通常在80~90℃下进行1分钟，或者100~120℃下进行60~120秒。软烘的目的是挥发溶剂、减少灰尘沾污、减轻薄膜应力，并提高光刻胶与衬底的附着性。
[*]曝光后的烘烤：曝光后的烘烤通常在110~130℃之间进行约1分钟，以确保光刻胶完全固化。
光刻胶涂覆后的处理步骤和目的
[*]涂胶：光刻胶可以通过旋转涂胶法或自动喷涂法涂覆在晶圆片上。旋转涂胶法包括滴胶、高速旋转、甩掉多余胶和溶剂挥发等步骤，以确保光刻胶的厚度和均匀性。
[*]软烘（前烘）：软烘是通过高温烘培使溶剂挥发，减少灰尘沾污，减轻薄膜应力，并提高光刻胶与衬底的附着性。这个过程可以使光刻胶厚度减薄10%~20%。
[*]曝光：曝光是通过特定波长的光照射光刻胶，使感光剂发生光化学反应，从而实现掩膜图形的转移。
通过以上步骤，可以确保光刻胶在涂覆后能够干燥并达到所需的工艺要求。
页:
[1]