半导体种类
半导体 semiconductor导电性能介于导体与绝缘体之间，室温下电阻率约为10-3 Ω·cm～109Ω·cm范围内的固体物质。
注：半导体的导电是由带正电的空穴和带负电的电子的定向移动实现的；半导体按其结构可分为单晶体、多晶体
和非晶体。
本征半导体 intrinsic semiconductor
晶格完整且不含杂质的理想半导体，在热平衡条件下，其中参与导电的电子和空穴数目近乎相等。
注：通常所说的本征半导体是指仅含极痕量杂质，导电性能与理想情况很相近的半导体。
元素半导体 elemental semiconductor
由单一元素的原子组成的半导体材料。
注：如硅、锗、金刚石等。
化合物半导体 compound semiconductor
由两种或两种以上不同元素以确定的原子配比形成的半导体材料。
注：如砷化镓(GaAs)、磷化铟（InP）、碲化镉(CdTe)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓（GaO）、铟镓氮（InGaN）
和铝镓铟磷（AlGaInP）等。
宽禁带半导体 wide bandgap semiconductor
通常指禁带宽度在 2.3eV 及以上的半导体。
注：常见宽禁带半导体材料有：SiC、GaN、ZnO、β-Ga2O3、金刚石、AlN。
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