刻蚀长草现象原因
刻蚀长草现象的原因主要包括副产物产生“微掩膜”效应、钝化能力不足、以及刻蚀条件
的不当设置。
副产物产生“微掩膜”效应：在刻蚀过程中，由于某些材料（如GaAs外延片）的刻蚀副产
物会在基片上形成粘附，产生“微掩膜”效应，这会影响刻蚀的结果，导致长草现象的出
现。通过调整射频（RF）功率，可以增大等离子体副产物粘附在基片的概率，从而减少
长草现象的发生。
钝化能力不足：在干法硅深槽刻蚀过程中，当钝化能力较弱时，钝化层厚度较小，无法
有效地去除，导致底部粗糙和侧壁长草问题。通过适当降低刻蚀阶段钝化气体的流量和
时间，可以改善这一问题。
刻蚀条件的不当设置：刻蚀条件的不当设置，如ICP功率、反应室压强、刻蚀气体的流
量比以及RF功率的设置不当，都会影响刻蚀速率和刻蚀形貌，进而导致长草现象。通过
优化这些刻蚀条件，如调整ICP功率、反应室压强、刻蚀气体流量比以及RF功率，可以
达到减少长草现象的目的。
综上所述，长草现象的出现与刻蚀过程中的副产物处理、钝化能力的控制以及刻蚀条件
的优化密切相关。通过适当的工艺调整和技术改进，可以有效减少或避免长草现象的发
生。
半导贴吧，共享芯未来。
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